第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試設(shè)備3500v

第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試設(shè)備3500v簡介
普賽斯pmst功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，集多種測量和分析功能一體，可以---測量不同封裝類型功率器件如mosfet、bjt、igbt以及sic、gan第三代半導(dǎo)體等的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μω級j確測量、n---電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，如輸入電容、輸出電容 、反向傳輸電容等。
普賽斯pmst功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)配置有多種測量單元模塊，模塊化的設(shè)計測試方法 靈活，方便用戶添加或升級測量模塊，適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。詳詢一八一四零六六三四七六；

系統(tǒng)組成
普賽斯pmst功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，主要包括測試主機、測試線、測試夾具、電腦、上位機軟件，以及相關(guān)通訊、測試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結(jié)合---上位機測試軟件，可根據(jù)測試項目需要，設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿足不同測試需求。測試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出，并可生成i-v以及c-v特性曲線。此外，測試主機可與探針臺搭配使用，實現(xiàn)晶圓級芯片測試；也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。
測試主機內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設(shè)計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，---支持30v@10a脈沖電流輸出與測試，可測試低至p---漏電流；集電極-發(fā)射極，---支持6000a高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；---支持3500v電壓輸出，且自帶漏電流測量功能。電容特性測試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測試，頻率---支持1mhz。

系統(tǒng)特點
高電壓：支持---3.5kv高電壓測試z大擴展至10kv； 大電流：支持---6ka大電流測試多模塊并聯(lián)； ---：支持uω級導(dǎo)通電阻、n---漏電流測試； 豐富模板：內(nèi)置豐富的測試模板，方便用戶快速配置測試參數(shù)； 配置導(dǎo)出：支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能； 數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出：支持圖形界面以及表格展示測試結(jié)果，亦可一鍵導(dǎo)出； 模塊化設(shè)計：內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計，可自由配置，方便維護； 可拓展：支持拓展溫控功能，方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度； 可定制開發(fā)：可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā)；
第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試設(shè)備3500v測試項目 集電極-發(fā)射極電壓vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓vbrces、集電極-發(fā)射極飽和電壓vcesat 集電極截止電流ices、柵極漏電流iges 柵極-發(fā)射極電壓vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓vgeth 輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容 續(xù)流二極管壓降vf i-v特性曲線掃描，c-v特性曲線掃描等