半導(dǎo)體參數(shù)分析儀支持高電壓大電流

半導(dǎo)體分立器件根據(jù)基材不同,可分為不同類型。以硅基半導(dǎo)體為基材時(shí),半導(dǎo)體分立器件主要包括二極管diode、三極管bjt、晶閘管scr、場效應(yīng)晶體管mosfet、絕緣柵雙極型晶體管igbt等；以寬禁帶材料半導(dǎo)體為基材時(shí),半導(dǎo)體分立器件主要包括:sic.gan半導(dǎo)體功率器件。
接下來我們重點(diǎn)介紹應(yīng)用廣泛的二極管、三極管及mos管的特性及其電性能測試要點(diǎn)。
1、二極管
二極管是一種使用半導(dǎo)體材料制作而成的單向?qū)щ娦栽�器�?產(chǎn)品結(jié)構(gòu)一般為單個(gè)pn結(jié)結(jié)構(gòu),只允許電流從單一方向流過。發(fā)展至今,已陸續(xù)發(fā)展出整流二極管、肖特基二極管、快恢復(fù)二極管、pin二極管、光電二極管等,具有安全---等特性。
器件特性：結(jié)壓降、不能變，伏安特性要會(huì)看，正阻---反阻軟，測量全憑它來管。
測試要點(diǎn)：正向壓降測試vf、反向擊穿電壓測試vr、c-v特性測試
2、三極管
三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的pn結(jié),兩個(gè)pn結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分,中間部分是基區(qū),兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。
器件特性：三極管，---，幾個(gè)特性要記全，輸入輸出有曲線，各自不同有深淺。
測試要點(diǎn)：輸入/輸出特性測試、極間反向電流測試、反向擊穿電壓測試vr、c-v特性測試
3、mos管
mosfet金屬―氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管是一種利用電場效應(yīng)來控制其電流大小的常見半導(dǎo)體器件,可以廣泛應(yīng)用在模擬電路和數(shù)字電路當(dāng)中。mosfet可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳納米管等材料制作,是材料及器件研究的---。主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓vgsth、漏電流lgss、ldss,擊穿電壓vdss、低頻互導(dǎo)gm、輸出電阻rds等。
器件特性：箭頭向里，指向n，n溝道場效應(yīng)管;箭頭向外，指向p，p溝道場效應(yīng)管。
測試要點(diǎn)：輸入/輸出特性測試、閾值電壓測試vgsth、漏電流測試、耐壓測試、c-v測試
所以，何為電性能測試？半導(dǎo)體分立器件該如何進(jìn)行電性能測試？
半導(dǎo)體分立器件電性能測試是對待測器件施加電壓或電流,然后測試其對激勵(lì)做出的響應(yīng),通傳統(tǒng)的分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺(tái)儀器完成,如數(shù)字萬用表、電壓源、電流源等。
實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的---工具之一是“五合一”數(shù)字源表smu，集多種功能于一體。
---、穩(wěn)定、---的電性能測試方案可為高�？蒲�---、器件測試---及功率模塊設(shè)計(jì)---提供測量所需的工具，---提高測試效率。此外,基于---的---數(shù)字源表，普賽斯還提供適當(dāng)?shù)碾娎|輔件和測試夾具，實(shí)現(xiàn)安全、---的測試。
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pa輸出測量、3500v高壓下n---測量、1000a脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，有關(guān)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀支持高電壓+大電流的更多詳情請咨詢普賽斯儀表！













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